申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-02-13

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668218A

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101)

优先权：["20190306 KR 10-2019-0025713"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.02.25#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件能够通过使用包含铁电材料及顺电材料的电容器介电膜来增大电容器的电容而改善元件的性能和或可靠性。所述半导体器件包括：被设置成彼此间隔开的第一电极与第二电极；以及电容器介电膜，设置在第一电极与第二电极之间且包括第一介电膜及第二介电膜。所述第一介电膜包括第一单金属氧化物膜及第一双金属氧化物膜中的一者，第一介电膜具有正交晶系，第二介电膜包含顺电材料，且电容器介电膜的介电常数大于第二介电膜的介电常数。

主权项：1.一种半导体器件，包括：彼此间隔开的第一电极与第二电极；以及电容器介电膜，位于所述第一电极与所述第二电极之间且包括第一介电膜及第二介电膜，其中所述第一介电膜包括第一单金属氧化物膜及第一双金属氧化物膜中的一者，所述第一介电膜具有正交晶系，所述第二介电膜包含顺电材料，且所述电容器介电膜的介电常数大于所述第二介电膜的介电常数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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