申请/专利权人：东芝存储器株式会社

申请日：2019-09-02

公开（公告）日：2020-09-18

公开（公告）号：CN111675783A

主分类号：C08F220/10(20060101)

分类号：C08F220/10(20060101);G03F1/68(20120101);H01L21/311(20060101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11578(20170101)

优先权：["20190311 JP 2019-044105"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.07.05#授权;2020.10.20#实质审查的生效;2020.09.18#公开

摘要：根据一种实施方式，是一种图案形成材料，其在对被加工膜进行如下加工时使用，所述加工是在具有被加工膜的基板的上述被加工膜上，使用图案形成材料形成有机膜并进行了图案形成，然后以使金属化合物含浸于上述有机膜而得的复合膜作为掩模图案，对上述被加工膜进行的加工，所述图案形成材料含有：包含在侧链具有非共享电子对和芳香环的第1单体单元的聚合物。

主权项：1.一种图案形成材料，其在对被加工膜进行如下加工时使用，所述加工是在具有被加工膜的基板的所述被加工膜上，使用图案形成材料形成有机膜并进行了图案形成，然后以使金属化合物含浸于所述有机膜而得的复合膜作为掩模图案，对所述被加工膜进行的加工，所述图案形成材料含有：包含下述通式1所示的第1单体单元的聚合物， 其中，在通式1中，R1、R2和R3各自独立地表示氢原子或可以包含氧原子的烃基，R1、R2和R3之中的至少1个基团为烃基，它们的合计碳原子数为1～13，它们可以彼此结合而形成环；R4为氢原子或甲基；R5为单键、或者为碳原子数1～20的在碳-碳原子间或在键末端可以包含氧原子、氮原子和或硫原子的烃基，R5的烃基中的氢原子可以被卤素原子取代。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东芝存储器株式会社 图案形成材料、图案形成用组合物、图案形成方法及半导体装置的制造方法

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