申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2019-05-24

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111987585A

主分类号：H01S5/026(20060101)

分类号：H01S5/026(20060101);H01S5/343(20060101);H01S5/30(20060101);H01S5/125(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.02.08#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本发明公开了一种硅波导输出激光器，包括：III‑V族有源结构，用于生成所述激光器的光源，所述III‑V族有源结构包括：隧道结层，用于形成反向隧穿电流通道；N型衬底，设置于所述隧道结层上表面；P型层，设置于所述隧道结层下表面；量子阱有源层，设置于所述P型层下表面；N型层，设置于所述量子阱有源层下表面；以及，硅波导结构，设置于所述III‑V族有源结构之下，用于与所述III‑V族有源结构共同形成光学谐振腔和激光输出波导。

主权项：1.一种硅波导输出激光器，包括：III-V族有源结构，用于生成所述激光器的光源，包括：隧道结层，用于形成反向隧穿电流通道；N型衬底，设置于所述隧道结层上表面；P型层，设置于所述隧道结层下表面；量子阱有源层，设置于所述P型层下表面；N型层，设置于所述量子阱有源层下表面；以及，硅波导结构，设置于所述III-V族有源结构之下，用于与所述III-V族有源结构共同形成光学谐振腔和激光输出波导。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 一种硅波导输出激光器

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