申请/专利权人:株洲中车时代半导体有限公司
申请日:2020-08-19
公开(公告)日:2020-11-24
公开(公告)号:CN111987089A
主分类号:H01L25/18(20060101)
分类号:H01L25/18(20060101);H01L27/02(20060101);H01L29/739(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开
摘要:本公开提供一种逆导型IGBT功率集成模块,包括衬板和设置于所述衬板上的逆导型IGBT芯片;所述衬板包括发射极导电层和集电极导电层;所述逆导型IGBT芯片包括终端区、若干IGBT器件和若干FRD器件;其中,所述IGBT器件的总面积为所述逆导型IGBT芯片的面积的50%至90%,所述IGBT器件的发射极PAD区与所述FRD器件的阳极PAD区通过绑定线与所述发射极导电层连接,所述IGBT器件的集电极PAD区和所述FRD器件的阴极PAD区通过焊层与所述集电极导电层连接。通过将若干IGBT器件和FRD器件集成在一个芯片上,形成逆导型IGBT芯片,使得IGBT器件和FRD器件共用芯片的终端区,提高了衬板通流能力。
主权项:1.一种逆导型IGBT功率集成模块,其特征在于,包括衬板和设置于所述衬板上的逆导型IGBT芯片;所述衬板包括发射极导电层和集电极导电层;所述逆导型IGBT芯片包括终端区、若干IGBT器件和若干FRD器件;其中,所述IGBT器件的总面积为所述逆导型IGBT芯片的面积的50%至90%,所述IGBT器件的发射极PAD区与所述FRD器件的阳极PAD区通过绑定线与所述发射极导电层连接,所述IGBT器件的集电极PAD区和所述FRD器件的阴极PAD区通过焊层与所述集电极导电层连接。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 株洲中车时代半导体有限公司 逆导型IGBT功率集成模块
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