申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司

申请日：2022-11-15

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878143A

主分类号：H01L29/10

分类号：H01L29/10;H01L29/423;H01L29/739

优先权：["20221011 JP 2022-163011"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：本发明的课题在于缩短关断所需的时间而减小能耗。沟槽型IGBT包含作为多个沟槽120的在内部具有栅极区域的多个栅极沟槽120G及具有连接于发射电极的发射极区域的多个发射极沟槽120E。具有与沟槽120相邻的台面区且不作为信道发挥功能的第2台面区域、及连接所述发射电极的接点132，且第2台面区域夹在栅极沟槽120G与发射极沟槽120E之间。

主权项：1.一种沟槽栅型IGBT，具有：半导体衬底；发射电极，形成在所述半导体衬底的正面上；集电极，形成在所述半导体衬底的背面上；P型的P集电极层，形成在所述集电极之上的所述半导体衬底的背面侧；N型的N漂移层，位于所述半导体衬底中的所述P集电极层之上；N型的载流子存储层，形成在所述N漂移层之上，且杂质浓度高于所述N漂移层；P型的P主体层，形成在所述半导体衬底的所述载流子存储层的正面侧；多个栅极沟槽，是从所述半导体衬底的正面侧介置台面区而离散地形成并朝向背面侧延伸到所述N漂移层的多个沟槽，且具有隔着绝缘膜形成在内部的栅极区域；多个发射极沟槽，是从所述半导体衬底的正面侧介置台面区而离散地形成并朝向背面侧延伸到所述N漂移层的多个沟槽，且具有隔着绝缘膜形成在内部且连接于所述发射电极的发射极区域；发射极区域，是与所述栅极沟槽相邻的所述台面区，形成在所述P主体层的正面侧，且与所述发射电极连接；第1台面区域，是所述台面区的所述P主体层，利用接点连接于所述发射电极，并且通过在正面侧形成所述发射极区域而作为信道发挥功能；及第2台面区域，是所述台面区的所述P主体层，利用接点连接于所述发射电极，并且通过不在正面侧形成所述发射极区域而不作为信道发挥功能；且所述第2台面区域夹在所述栅极沟槽与所述发射极沟槽之间。

全文数据：

权利要求：

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