申请/专利权人：晶元光电股份有限公司

申请日：2014-07-10

公开（公告）日：2020-11-27

公开（公告）号：CN105322066B

主分类号：H01L33/38(20100101)

分类号：H01L33/38(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.27#授权;2017.08.01#实质审查的生效;2016.02.10#公开

摘要：本发明公开一种光电元件及其制造方法，该光电元件包含：一第一半导体层，具有至少四个边界、一第一表面、一与第一表面相对的第二表面，其中任意两相邻些边界可构成一角落；一第二半导体层形成于第一半导体层的第一表面之上；一第二电性电极形成于第二半导体层之上；以及至少两个第一电性电极形成于第一半导体层的第一表面之上，其中该些第一电性电极彼此分离并形成一设计型态。

主权项：1.一种光电元件，包含：第一半导体层，包含两个长边及两个短边，其中任意一长边及一短边可构成一角落；第二半导体层，形成于该第一半导体层之上；第二电性电极，形成于该第二半导体层之上；第一电性电极，形成于该第一半导体层的该角落上，其中该第一电性电极于该第一半导体层上的投影上具有一图形，该图形包含多边形、圆形、椭圆形或半圆形；另一第一电性电极，靠近该第一半导体层的该两个长边之一，且未被该第二半导体层围绕，其中该另一第一电性电极包含一头端及一尾端，该头端包含一宽度大于该尾端的一宽度，且该第一电性电极及该另一第一电性电极形成在同一长边旁且彼此分离；第三电极，覆盖该第二半导体层、该第一电性电极及该另一第一电性电极的该头端，该第三电极未完全覆盖该另一第一电性电极的该尾端，且该第三电极包含凹部对应于该第三电极覆盖该第一电性电极或该另一第一电性电极的位置，其中该第三电极覆盖该第一电性电极及该另一第一电性电极的面积小于该第三电极覆盖该第二半导体层的面积；以及第四电极，其中该另一第一电性电极的该尾端不被该第四电极所覆盖，该第三电极的边界与该第四电极的边界具有一最小距离，该最小距离小于该另一第一电性电极的该尾端的一长度。

全文数据：

权利要求：

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