申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司

申请日：2019-07-03

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112185786A

主分类号：H01J37/32(20060101)

分类号：H01J37/32(20060101);H01L21/67(20060101);H01R4/64(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：一种等离子体处理设备及其用于等离子体处理设备的接地环组件，其中，等离子体处理设备包括：反应腔，所述反应腔包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁包括承载面；位于所述反应腔内底部的基座，所述基座用于承载待处理基片；包围所述基座的中接地环组件，所述中接地环组件包括底部组件、由底部组件外侧端部向上延伸的延伸环以及由延伸环向外延伸的承载环，所述承载环位于承载面上，底部组件、延伸环和承载环构成一个连续的导电通路；包围所述基座的下接地环，所述下接地环顶部与底部组件内侧端部连接；连接于所述基座上的射频源。所述等离子体处理设备的性能较好。

主权项：1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：反应腔，所述反应腔包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁包括承载面；位于所述反应腔内底部的基座，所述基座用于承载待处理基片；包围所述基座的中接地环组件，所述中接地环组件包括底部组件、由底部组件外侧端部向上延伸的延伸环以及由延伸环向外延伸的承载环，所述承载环位于承载面上，且所述底部组件、延伸环和承载环构成一个连续的导电通路；包围所述基座的下接地环，所述下接地环顶部与底部组件内侧端部连接；连接于所述基座上的射频源。

全文数据：

权利要求：

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