申请/专利权人：厦门超新芯科技有限公司

申请日：2020-08-11

公开（公告）日：2021-01-08

公开（公告）号：CN212321475U

主分类号：G01N23/02(20060101)

分类号：G01N23/02(20060101);G01N23/2202(20180101);G01N1/42(20060101);G01N1/44(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.08#授权

摘要：本实用新型公开了一种透射电镜高分辨原位液相变温芯片。所述芯片的下片有支撑层、冷冻层、绝缘层、加热层、绝缘层、孔道和中心视窗；冷冻层有四个接触电极、半导体制冷薄膜及导电金属薄膜；在中心视窗及半导体制冷薄膜所在区域，硅腐蚀掉后留下孔道，支撑层覆盖在孔道上方；半导体制冷薄膜及导电金属薄膜均置于支撑层上；以中心视窗为中心，在支撑层上沉积一圈金属薄膜；半导体制冷薄膜的前端搭在金属薄膜上，后端与四个接触电极相连；冷冻层与加热层通过绝缘层隔开；加热层有两个接触电极及螺旋环形加热丝，加热丝位于半导体制冷薄膜的上方；中心视窗上有多个小孔。所述芯片具有控温范围大，变温速率快，可实现原位动态观测的优点。

主权项：1.一种透射电镜高分辨原位液相变温芯片，其结构为上片和下片通过金属键合层组合，自封闭形成一个超薄的腔室；上片和下片的材质均为两面有氮化硅或氧化硅的硅基片，上片有两个注样口和一个中心视窗1，其特征在于，下片设置有支撑层、冷冻层、绝缘层1、加热层、绝缘层2、孔道以及中心视窗2；冷冻层设置有四个接触电极、不少于一级的半导体制冷薄膜以及导电金属薄膜，其中四个接触电极置于芯片的边缘；在中心视窗2以及半导体制冷薄膜所在区域，硅腐蚀掉后留下孔道，支撑层覆盖在孔道上方；半导体制冷薄膜及导电金属薄膜均置于孔道上的支撑层上，并不直接与硅基片接触；以中心视窗2为中心，在支撑层上沉积一圈金属薄膜；半导体制冷薄膜的前端搭在所述金属薄膜上，后端与冷冻层上的四个接触电极相连；如果为至少两级半导体制冷薄膜，则其后端依次用金属薄膜连接各级半导体制冷薄膜，直至最后一级半导体制冷薄膜与冷冻层上的四个接触电极相连；冷冻层与加热层通过绝缘层1隔开，加热层与外界通过绝缘层2隔开；加热层有两个接触电极及螺旋环形加热丝，加热丝位于半导体制冷薄膜的上方；所述上片的面积略小于下片的面积，上片的中心视窗1和下片的中心视窗2对齐，中心视窗1和中心视窗2上均有多个小孔。

全文数据：

权利要求：

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