申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2020-09-30

公开（公告）日：2021-01-12

公开（公告）号：CN112216507A

主分类号：H01F41/14(20060101)

分类号：H01F41/14(20060101);H01F41/18(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.03.15#授权;2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要：一种无支撑高性能铁氧体磁性薄膜的制备方法及其应用，属于新材料技术领域。采用铜箔或镍箔作为牺牲层，通过生长致密耐高温氧化保护层，防止铁氧体薄膜生长过程中的铜箔或镍箔的高温氧化，在防氧化晶体择优取向的铜箔或镍箔上生长铁氧体磁性薄膜，最后通过化学法将铜箔或镍箔牺牲层去掉，获得了无支撑高性能铁氧体磁性薄膜。本发明方法可以生长超大面积的高品质铁氧体薄膜，薄膜厚度可以实现纳米级到微米级变化，并且无需昂贵的提拉法生长单晶衬底，具有较高的经济效能；制得的无支撑高性能铁氧体磁性薄膜可以转移至任意柔性衬底或半导体衬底上，得到铁氧体微波器件、磁光器件和自旋波器件。

主权项：1.一种无支撑高性能铁氧体磁性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将铜箔或镍箔在惰性气体保护下经高温热处理，得到具有晶体择优取向的铜箔或镍箔；所述高温热处理的温度为1000℃～1200℃，时间为30min～90min；步骤2、在步骤1处理后的铜箔或镍箔的正反表面沉积耐高温氧化保护膜；步骤3、在步骤2得到的一面耐高温氧化保护膜上形成铁氧体磁性薄膜；步骤4、将步骤3得到的复合结构置于化学溶液中，通过氧化还原反应将铜箔或镍箔腐蚀掉，清洗，得到所述无支撑高性能铁氧体磁性薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 无支撑高性能铁氧体磁性薄膜的制备方法及其应用

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