申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-10-23

公开（公告）日：2021-02-12

公开（公告）号：CN112366202A

主分类号：H01L27/02(20060101)

分类号：H01L27/02(20060101);H01L21/82(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.05#实质审查的生效;2021.02.12#公开

摘要：本发明提供一种静电放电保护结构及其制作方法，静电放电保护结构包括中心区域及环绕所述中心区域的边缘区域，其中，中心区域包括掺杂浓度较大的阱，从而可降低中心区域的MOS晶体管的衬底电阻，以减小中心区域的MOS晶体管及边缘区域的MOS晶体管的衬底电阻差，以提高中心区域的MOS晶体管的导通电压，有效缓解中心区域的MOS晶体管过早的导通，降低静电放电保护结构失效的概率，以提高静电放电保护结构的可靠性。

主权项：1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底包括中心区域和环绕所述中心区域的边缘区域；第一导电类型阱，所述第一导电类型阱嵌设于所述中心区域，且所述第一导电类型阱的掺杂浓度大于所述第一导电类型衬底；多个并联连接的MOS晶体管，所述MOS晶体管包括位于所述第一导电类型阱上的第一MOS晶体管，以及位于所述边缘区域的第二MOS晶体管；第一导电类型衬底接触部，所述第一导电类型衬底接触部环绕所述边缘区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 静电放电保护结构及其制作方法

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