申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2019-06-19

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN112385013A

主分类号：H01L21/02(20060101)

分类号：H01L21/02(20060101);H01L21/324(20060101);H01L21/764(20060101)

优先权：["20180620 US 62/687,453"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：描述了用于在半导体基板上形成可流动碳层的方法。如本文中所述地向含碳前驱物施加局部激发例如PECVD中的等离子体以在基板上形成可流动碳膜。也已发现了远程激发方法，该远程激发方法通过以下步骤来产生可流动碳膜：激发稳定前驱物以产生自由基前驱物，该自由基前驱物接着在基板处理区域中与未激发的含碳前驱物结合。可选的后沉积等离子体暴露也可以在沉积之后固化或凝固可流动膜。也描述了用于使用本文中所述的可流动膜来形成气隙的方法。

主权项：1.一种可流动碳膜沉积方法，包括以下步骤：将基板提供到处理腔室的基板处理区域；形成包括含碳前驱物的反应等离子体，所述含碳前驱物实质上不包括氧，所述反应等离子体实质上不包括氧；以及将所述基板暴露于所述反应等离子体，以在所述基板上沉积可流动碳膜，所述可流动碳膜实质上不包括硅，也不包括氧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 碳间隙填充膜

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