申请/专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司

申请日：2020-08-05

公开（公告）日：2021-04-06

公开（公告）号：CN212894968U

主分类号：C23C16/54(20060101)

分类号：C23C16/54(20060101);C23C16/52(20060101);C23C16/24(20060101);H01L31/18(20060101);H01L21/67(20060101);H01L21/677(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.06#授权

摘要：本实用新型提供用于提高异质结太阳能电池良率的CVD设备。所述CVD设备包括：CVD反应腔，其用于进行CVD工艺以在设置于其中的硅片上形成CVD薄膜；上料模块，其与CVD反应腔的一侧连接用于将承载有硅片的托盘传送至CVD反应腔，上料模块包括上料模块前段和后段；第一测温模块，其设置在上料模块前段上用于测量其所传送的托盘温度；以及第一降温模块，其设置在上料模块前段上用于在第一测温模块测得的托盘温度高于第一预设温度时，在托盘离开上料模块前段之前将其温度降低到不高于第一预设温度。本实用新型能有效抑制太阳能电池制造中因托盘温度过高导致的硅片边缘氧化及电池黑边现象，能有效提高电池良率和推动太阳能电池的量产化进程。

主权项：1.一种用于提高异质结太阳能电池良率的CVD设备，所述CVD设备包括：CVD反应腔，其用于进行CVD工艺，以在设置于其中的硅片上形成CVD薄膜；上料模块，其与所述CVD反应腔的一侧连接用于将承载有硅片的托盘传送至所述CVD反应腔，所述上料模块包括上料模块前段和上料模块后段；第一测温模块，其设置在所述上料模块前段上用于测量其所传送的托盘的温度；以及第一降温模块，其设置在所述上料模块前段上用于在所述第一测温模块测得的托盘温度高于第一预设温度时，在所述托盘离开上料模块前段之前将其温度降低到不高于所述第一预设温度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 用于提高异质结太阳能电池良率的CVD设备

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