申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2020-12-18

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635398A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种在凹槽中填充铜的工艺方法，包括：步骤一、采用刻蚀工艺在层间膜中形成多个凹槽；各凹槽的内侧表面会形成刻蚀残留物；部分或全部的凹槽的底部将底层铜层的表面暴露，在等待时间内暴露的底层铜层的表面会形成氧化铜；步骤二、进行预清洗以同时去除残留物和氧化铜，包括：步骤21、采用带正电荷的惰性气体离子进行溅射刻蚀以去除刻蚀残留物；步骤22、采用H离子对氧化铜进行还原以去除氧化铜；步骤三、形成铜扩散阻挡层；步骤四、形成铜籽晶层；步骤五、进行电镀铜工艺将铜层填充到凹槽中。本发明能在预清洗工艺中同时去除刻蚀残留物和氧化铜，能防止刻蚀残留物对铜扩散阻挡层和铜籽晶层产生污染并从而能防止由此产生的铜缺失缺陷。

主权项：1.一种在凹槽中填充铜的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供底层结构，所述底层结构包括底层铜层和形成于所述底层铜层之上的层间膜，采用刻蚀工艺在所述层间膜的选定区域中形成多个凹槽；在所述刻蚀工艺中，各所述凹槽的内侧表面会形成刻蚀残留物；部分或全部的所述凹槽的底部将所述底层铜层的表面暴露，在等待时间内暴露的所述底层铜层的表面会形成氧化铜；步骤二、进行预清洗以同时去除所述刻蚀残留物和所述氧化铜；所述预清洗如下两个分步骤：步骤21、采用带正电荷的惰性气体离子进行溅射刻蚀以去除所述刻蚀残留物；步骤22、采用H离子对所述氧化铜进行还原以去除所述氧化铜；步骤三、在所述凹槽的内侧表面形成铜扩散阻挡层；步骤四、在所述阻挡层的表面形成铜籽晶层；步骤五、进行电镀铜工艺将铜层填充到所述凹槽中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 在凹槽中填充铜的工艺方法

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