申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2020-12-09

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112652710A

主分类号：H01L45/00(20060101)

分类号：H01L45/00(20060101);H01L27/24(20060101);B82Y40/00(20110101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.12#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明公开了一种选通管相变存储集成单元及其制备方法、相变存储器件，属于微纳米电子技术领域。在衬底上形成底电极；在底电极上制备绝缘层，对绝缘层进行图形化得到纳米孔，并通过纳米孔暴露出底电极；在纳米孔中填充选通管材料；在选通管材料远离底电极的一侧进行离子注入，以在纳米孔内远离底电极的一侧形成界面型相变存储单元；在绝缘层上形成顶电极。通过对选通管材料进行表面离子注入处理实现了界面型相变存储单元的制备，并同时实现了界面型相变存储单元与选通管单元的集成，减少了工艺步骤。由于相变存储材料由选通管材料经过表面离子注入而得到，避免了选通管单元和相变存储单元界面的界面问题。

主权项：1.一种选通管相变存储集成单元的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成底电极；在所述底电极上制备绝缘层，对所述绝缘层进行图形化得到纳米孔，并通过所述纳米孔暴露出所述底电极；在所述纳米孔中填充选通管材料；在所述选通管材料远离所述底电极的一侧进行离子注入，以将所述纳米孔内远离所述底电极的一侧的选通管材料改性为相变存储材料，形成界面型相变存储单元，所述纳米孔内靠近所述底电极的一侧的未参与材料改性的选通管材料形成选通管单元；在所述绝缘层上形成顶电极，所述纳米孔在所述衬底上的投影位于所述顶电极在所述衬底上的投影内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 选通管相变存储集成单元及其制备方法、相变存储器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD