【发明公布】热处理方法以及热处理装置_株式会社思可林集团_202011536845.4 

申请/专利权人:株式会社思可林集团

申请日:2016-08-26

发明/设计人:青山敬幸;河原崎光;古川雅志;加藤慎一;布施和彦;谷村英昭

公开(公告)日:2021-04-13

代理机构:隆天知识产权代理有限公司

公开(公告)号:CN112652559A

代理人:向勇;宋晓宝

主分类号:H01L21/67(20060101)

地址:日本京都府

分类号:H01L21/67(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/28(20060101)

优先权:["20150826 JP 2015-166511","20160524 JP 2016-103275"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.04.13#公开

摘要:提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后,腔室内的压力被减压至比大气压低的气压P1。然后,向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压Ps,并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压P1后就恢复压力,因此,能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低,从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。

主权项:1.一种热处理方法,其特征在于,通过向形成有高介电常数膜的基板照射闪光来加热该基板,所述热处理方法包括:搬入工序,将形成有高介电常数膜的基板搬入腔室内,减压工序,将所述腔室内的压力减压至比大气压低的第一压力,恢复压力工序,向所述腔室内供给氧气类的反应性气体,以将所述腔室内的压力从第一压力恢复至比第一压力高的第二压力,照射工序,一边将所述腔室内的压力维持为第二压力,一边从闪光灯向所述基板的表面照射闪光。

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