申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-12-18

公开（公告）日：2021-04-30

公开（公告）号：CN112740404A

主分类号：H01L27/11578(20170101)

分类号：H01L27/11578(20170101);H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2021.05.21#实质审查的生效;2021.04.30#公开

摘要：一种存储器件包括：安排在外围电路结构的衬底上的存储阵列；延伸穿过所述存储阵列并且连接到所述外围电路结构的导体插塞；以及安排在所述存储阵列之上并且包括彼此隔开的多个导体衬垫的导体衬垫层。所述导体插塞伸入所述多个导体衬垫中的对应导体衬垫中。

主权项：1.一种存储器件，包括：安排在外围电路结构的衬底上的存储阵列；延伸穿过所述存储阵列并且连接到所述外围电路结构的导体插塞；以及安排在所述存储阵列之上并且包括彼此隔开的多个导体衬垫的导体衬垫层，其中：所述导体插塞伸入所述多个导体衬垫中的对应导体衬垫中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器件及其制造方法

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