申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-12-25

公开（公告）日：2021-04-30

公开（公告）号：CN112740402A

主分类号：H01L27/11551(20170101)

分类号：H01L27/11551(20170101);H01L27/11578(20170101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.05.21#实质审查的生效;2021.04.30#公开

摘要：3D存储器件包括具有存储块的存储堆叠层。该存储块在第一横向方向上包括第一存储阵列结构、阶梯结构、第二存储阵列结构，并且在第二横向方向上包括多个指状部。阶梯结构包括阶梯区域和在第二横向方向上与阶梯区域相邻的桥结构。3D存储器件还包括在存储堆叠层的SSG中并且在存储块的多个指状部中的相邻的指状部之间延伸的源极选择栅SSG切口结构。SSG切口结构在第一指状部和第二指状部之间，第一指状部包括串。阶梯区域包括通过桥结构电连接到第一存储阵列结构和第二存储阵列结构中的每个中的串中的存储单元。

主权项：1.一种三维3D存储器件，包括：存储堆叠层，所述存储堆叠层包括存储块，所述存储块在第一横向方向上包括第一存储阵列结构、阶梯结构、第二存储阵列结构，并且在垂直于所述第一横向方向的第二横向方向上包括多个指状部，所述阶梯结构包括阶梯区域和在所述第二横向方向上与所述阶梯区域相邻的桥结构；源极选择栅SSG切口结构，所述源极选择栅SSG切口结构在所述存储堆叠层的SSG中并且在所述存储块的所述多个指状部中的相邻的指状部之间延伸，其中：所述SSG切口结构在第一指状部和第二指状部之间，所述第一指状部包括串；并且所述阶梯区域包括阶梯，所述阶梯通过所述桥结构电连接到所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的每个中的所述串中的存储单元。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有源极选择栅切口结构的三维存储器件及其形成方法

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