申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-12-02

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN112928122A

主分类号：H01L27/1157(20170101)

分类号：H01L27/1157(20170101);H01L27/11578(20170101)

优先权：["20191206 US 16/705,388"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要：本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。包括存储器单元串的存储器阵列包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。所述堆叠中的所述存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层和所述导电层的沟道材料串和存储材料串。所述绝缘层的个别中的所述存储材料串的存储材料中的至少一些比所述导电层的个别中的所述存储材料串中的存储材料固有地更不具电荷透射性。公开其它方面，包含方法。

主权项：1.一种形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：形成包括竖直交替的绝缘层和导电层的堆叠中的存储器单元串，所述导电层单独地包括导电线，所述存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层和所述导电层的沟道材料串和存储材料串；和修改所述绝缘层中或所述导电层中的所述存储材料串的存储材料的固有电荷透射率，使得个别所述绝缘层中的所述存储材料串的所述存储材料中的至少一些比个别所述导电层中的所述存储材料串中的所述存储材料固有地更不具电荷透射性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

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