申请/专利权人：深圳市国微电子有限公司

申请日：2021-01-27

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN112928111A

主分类号：H01L27/02(20060101)

分类号：H01L27/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.09#授权;2021.10.15#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要：本发明适用于半导体器件领域，提供了一种耐正负高压的SCRESD防护器件及其工艺方法，该防护器件包括：衬底，在衬底中形成的第一、第二掩埋层；在第二掩埋层上生长成的外延层和在外延层中形成的第一、第二漂移区，分别在第一、第二漂移区和外延层的交界处形成的第一，第二注入区；在第一掩埋层上通过生长外延、掺杂后形成的第一阱，分别在第一、第二漂移区中形成的第二，第三阱；分别在第一、第二、第三阱中形成的第一类型有源区，分别在第一、第二漂移区中形成的两个第二类型有源区。本发明提供的器件能够保证端口正常工作在正负高压下，具有高维持电压，并且能满足ESD防护等级的设计要求。

主权项：1.一种耐正负高压的SCRESD防护器件，其特征在于，所述防护器件包括：衬底，在所述衬底中形成的第一掩埋层以及第二掩埋层，所述第一掩埋层为环状，所述第二掩埋层位于所述第一掩埋层中；在所述第二掩埋层上生长成的外延层和在所述外延层中从左往右依次形成的第一漂移区和第二漂移区；在所述第一漂移区右侧和所述外延层的交界处同时向所述第一漂移区右侧和所述外延层注入形成的第一注入区，在所述第二漂移区左侧和所述外延层的交界处同时向所述第二漂移区左侧和所述外延层注入形成的第二注入区；在所述第一掩埋层上通过生长外延、掺杂后形成的第一阱，在所述第一漂移区和所述第二漂移区内分别形成的第二阱和第三阱，所述第一阱为环状，且所述第一漂移区和所述第二漂移区位于所述第一阱的环内；在所述第一阱中形成的第一有源区，所述第一有源区为环状，在所述第一漂移区内且在所述第二阱左侧形成的第二有源区，在所述第二阱内形成的第三有源区，在所述第一漂移区内且在所述第二阱右侧形成的第四有源区；在所述第二漂移区内且在所述第三阱左侧形成的第五有源区，在所述第三阱内形成的第六有源区，在所述第二漂移区内且在所述第三阱右侧形成的第七有源区；所述第一掩埋层与所述第二掩埋层的掺杂类型相反；所述第一漂移区、所述第二漂移区的掺杂类型相同；所述第一注入区、所述第二注入区的掺杂类型相同；所述第一阱、所述第二阱、所述第三阱的掺杂类型相同；所述第一有源区、所述第三有源区、所述第六有源区的掺杂类型相同，且与所述第二有源区、所述第四有源区、所述第五有源区、所述第七有源区的掺杂类型相反；所述衬底、所述第一掩埋层、所述第一阱、所述第一漂移区、所述第一有源区的掺杂类型相同，所述第二有源区与所述第一注入区的掺杂类型相同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市国微电子有限公司 耐正负高压的SCR ESD防护器件及其工艺方法

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