申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-12-29

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113129957A

主分类号：G11C11/4074(20060101)

分类号：G11C11/4074(20060101);G11C11/4076(20060101);G11C11/409(20060101);G11C11/4094(20060101)

优先权：["20191231 US 62/955,616","20201106 US 17/091,002"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.07.14#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.07.16#公开

摘要：提供用于操作多阵列存储器的系统和方法，多阵列存储器包含存储器库的左存储阵列和右存储阵列。在存储器输入引脚处接收命令。将表示命令的信号传播到阵列控制抑制器。在存储器的一或多个其它引脚上接收到阵列抑制命令，且将其提供到阵列控制抑制器。使用阵列控制抑制器以基于阵列抑制命令来防止命令到达左存储阵列和右存储阵列中的一个。

主权项：1.一种存储器电路，包括：存储器库的左存储阵列，包括多个左存储单元；所述存储器库的右存储阵列，包括多个右存储单元；多个命令输入引脚，配置成接收命令；一或多个阵列抑制引脚，配置成接收抑制命令以阻止命令信号到达所述左存储阵列和所述右存储阵列中的一个或两个；阵列控制抑制器，配置成接收所述抑制命令，且基于所述抑制命令来防止所述命令到达所述左存储阵列和所述右存储阵列中的一个或两个。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器电路

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