申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-04-12

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113130743A

主分类号：H01L45/00(20060101)

分类号：H01L45/00(20060101);G11C16/04(20060101)

优先权：["20200417 US 16/851,111"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.07.16#公开

摘要：提供一种存储单元及形成所述存储单元的方法。存储单元包括底部电极、顶部电极、储存元件层及保护层。储存元件层设置在底部电极与顶部电极之间。保护层覆盖储存元件层及顶部电极，且保护层的材料衍生自储存元件层。还提供一种具有存储单元的半导体器件。

主权项：1.一种存储单元，包括：底部电极及顶部电极；储存元件层，设置在所述底部电极与所述顶部电极之间；以及保护层，覆盖所述储存元件层及所述顶部电极，其中所述保护层的材料衍生自所述储存元件层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储单元

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