申请/专利权人：郑州轻工业大学

申请日：2021-04-22

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113121221A

主分类号：C04B35/462(20060101)

分类号：C04B35/462(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/624(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.07.19#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本发明提供了一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法，首先利用溶胶凝胶法制备钙、铜、钛的溶液，再合成钛酸铜钙溶胶；其次，清洗SrTiO3001基片，利用浸渍提拉法在基片上制备钛酸铜钙凝胶薄膜；最后在不同的气氛和温度下热处理得到单一取向的CCTO薄膜。本发明利用设备简单、低成本的溶胶凝胶法在SrTiO3001基片上制备了单一取向的钛酸铜钙薄膜，以提高薄膜的介电常数并降低介电损耗，从而实现钛酸铜钙薄膜的高介电性能。本发明显著降低对制膜设备的要求，重复性高，适合在不同造型的基底上制备高质量的钛酸铜钙薄膜。本发明的薄膜材料的介电常数达到104，介电损耗低至0.01。

主权项：1.一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法，其特征在于：首先利用溶胶凝胶法制备钙、铜、钛的溶液，再合成CCTO溶胶；其次，清洗SrTiO3001基片，利用浸渍提拉法在基片上制备CCTO凝胶薄膜；最后在不同的气氛和温度下热处理得到单一取向的CCTO薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 郑州轻工业大学 一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD