申请/专利权人:东京毅力科创株式会社
申请日:2021-03-31
公开(公告)日:2021-10-12
公开(公告)号:CN113496890A
主分类号:H01L21/3065(20060101)
分类号:H01L21/3065(20060101);H01L21/67(20060101)
优先权:["20200407 JP 2020-069211"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.01.24#实质审查的生效;2021.10.12#公开
摘要:本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置,能够以高选择比且高蚀刻速率来蚀刻硅。基板处理方法是基板处理装置中的基板处理方法,并且包括以下工序:提供具有仅由硅构成的第一膜和含硅的第二膜的基板;以及通过由混合气体生成的等离子体来对第一膜进行蚀刻,所述混合气体包含含卤素气体和含硅气体而不包含含氧气体。
主权项:1.一种基板处理方法,是基板处理装置中的基板处理方法,所述基板处理方法包括以下工序:提供具有仅由硅构成的第一膜和含硅的第二膜的基板;以及通过由混合气体生成的等离子体来对所述第一膜进行蚀刻,所述混合气体包含含卤素气体和含硅气体而不包含含氧气体。
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