申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日：2021-08-03

公开（公告）日：2021-11-02

公开（公告）号：CN113594037A

主分类号：H01L21/335(20060101)

分类号：H01L21/335(20060101);H01L29/778(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开

摘要：本发明公开了一种GaNMISHEMT器件及其制作方法。所述制作方法包括：制作外延结构，所述外延结构包括沟道层以及形成在沟道层上的势垒层，且所述AlGaN势垒层与沟道层之间形成有二维电子气；在所述势垒层上原位外延生长二维材料钝化层；在所述二维材料钝化层上形成介质层；以及制作源极、漏极和栅极，其中，所述源极和漏极设置在所述势垒层上并通过所述二维电子气电连接，所述栅极设置在所述介质层上并位于所述源极和漏极之间。本发明提供的制作方法，在生长完GaNHEMT外延结构后原位生长二维h‑BN作为表面钝化层，然后再二次沉积介质层，可以阻挡表面损伤，屏蔽表面悬挂键，降低界面态密度，进而有效地抑制电流崩塌效应，使器件获得更好的直流特性和动态特性。

主权项：1.一种GaNMISHEMT器件的制作方法，其特征在于包括：制作外延结构，所述外延结构包括沟道层以及形成在沟道层上的势垒层，且所述AlGaN势垒层与沟道层之间形成有二维电子气；在所述势垒层上原位外延生长二维材料钝化层；在所述二维材料钝化层上形成介质层；以及制作源极、漏极和栅极，其中，所述源极和漏极设置在所述势垒层上并通过所述二维电子气电连接，所述栅极设置在所述介质层上并位于所述源极和漏极之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 GaN MISHEMT器件及其制作方法

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