申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2021-05-11

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675212A

主分类号：H01L27/11582(20170101)

分类号：H01L27/11582(20170101);H01L27/1157(20170101)

优先权：["20200513 US 15/931,299"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成所述存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块分别包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层及导电层。存储器单元的沟道材料串结构延伸穿过所述绝缘层及所述导电层。所述沟道材料串结构分别包括在下部部分上方且与下部部分接合的上部部分。个别所述沟道材料串结构包括在所述上部及下部部分接合的垂直截面中的至少一个外部折弯表面。公开包含方法的其它实施例。

主权项：1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成将包括竖直交替的第一层及第二层的堆叠的下部部分，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的组合物；在所述下部部分中形成支柱，所述支柱分别水平定位，其中将形成个别沟道材料串结构，所述支柱包括牺牲材料；在所述下部部分及所述支柱上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层及第二层；将沟道开口形成到所述堆叠中且分别延伸到个别所述支柱；通过所述沟道开口去除所述支柱的所述牺牲材料以将所述沟道开口较深地延伸到所述堆叠中；及在所述延长的沟道开口中及在由所述去除产生的其中的空隙空间中形成沟道材料串结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法

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