申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2021-05-11

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675210A

主分类号：H01L27/1157(20170101)

分类号：H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L27/11524(20170101);H01L27/11556(20170101)

优先权：["20200513 US 15/930,836"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.01#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成所述存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块分别包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层及导电层。存储器单元的沟道材料串结构延伸穿过所述绝缘层及所述导电层。所述沟道材料串结构分别包括在下部部分上方且与下部部分接合的上部部分。个别所述沟道材料串结构包括在所述上部及下部部分接合的垂直截面中的至少一个外部折弯表面。公开包含方法的其它实施例。

主权项：1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成包括导体材料的导体层；在所述导体层上方形成将包括竖直交替的第一层及第二层的堆叠的下部部分，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的组合物，最下部的所述第一层包括第一牺牲材料，次最下部的所述第一层包括导电掺杂的多晶硅；在所述次最下部的第一层中形成水平延长线，所述水平延长线分别在横向紧邻的所述存储器块区之间；所述线包括第二牺牲材料，所述第二牺牲材料具有与形成或将形成在所述第一牺牲材料上方的所述第一层材料、形成或将形成在所述第一牺牲材料上方的所述第二层材料，及所述次最下部的第一层的材料不同的组合物；在所述下部部分及所述线上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层及第二层，且形成沟道材料串结构，所述沟道材料串结构延伸穿过所述上部部分中的第一层及所述第二层，到达所述下部部分中的所述最下部的第一层；将水平延长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平延长沟槽分别在所述横向紧邻的存储器块区之间且延伸到所述存储器块区之间的所述线；通过所述沟槽去除所述线的所述第二牺牲材料；及在所述沟槽及由于所述去除所述线的所述第二牺牲材料而留下的空隙空间中形成介入材料。

全文数据：

权利要求：

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