申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2016-03-07

公开（公告）日：2022-01-07

公开（公告）号：CN113903654A

主分类号：H01L21/02(20060101)

分类号：H01L21/02(20060101);H01L21/205(20060101);H01J37/32(20060101)

优先权：["20150306 US 14/640,207"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.01.25#实质审查的生效;2022.01.07#公开

摘要：本发明涉及最小化TEOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置。一种最小化在半导体衬底等离子体处理装置中的半导体衬底上进行的沟槽填充工艺期间沉积的TEOS氧化物膜的接缝效应的方法，该方法包括将半导体衬底支撑在半导体衬底等离子体处理装置的真空室中的基座上。使包括TEOS、氧化剂和氩气的工艺气体流动通过喷头组件的面板进入真空室的处理区域中。RF能量将所述工艺气体激励成等离子体，其中TEOS氧化物膜被沉积在半导体衬底上以便填充其至少一个沟槽。所述氩气以足以增大所述等离子体的电子密度的量供给，使得朝向半导体衬底的中央的TEOS氧化物膜的沉积速度增大，以及在至少一个沟槽中所沉积的TEOS氧化物膜的接缝效应减小。

主权项：1.一种最小化在半导体衬底等离子体处理装置中的半导体衬底上进行的沟槽填充工艺期间沉积的TEOS氧化物膜的接缝效应的方法，所述方法包括：将半导体衬底支撑在所述半导体衬底等离子体处理装置的真空室中的基座上，其中所述半导体衬底包括在其上表面中的至少一个沟槽；使包括TEOS、氧化剂和氩气的工艺气体流动通过所述半导体衬底等离子体处理装置的喷头组件进入所述真空室的在所述半导体衬底的所述上表面上方的处理区域中；利用至少一个RF产生器供给RF能量到所述真空室的所述处理区域以将所述工艺气体激励成等离子体；以及在所述半导体衬底的所述上表面上沉积TEOS氧化物膜以填充其中的所述至少一个沟槽，其中所述氩气以足以减小在所述至少一个沟槽中所沉积的TEOS氧化物膜的所述接缝效应的量被供给。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 最小化TEOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置

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