申请/专利权人：科磊股份有限公司

申请日：2018-12-20

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112041975B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L21/033

优先权：["20180427 US 62/663,865","20180626 US 16/019,341"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2020.12.04#公开

摘要：本发明揭示一种控制器，其经配置以：在至少一个离散背侧膜沉积过程之前对半导体晶片执行至少第一表征过程；在所述至少一个离散背侧膜沉积过程之后执行至少额外表征过程；基于至少所述第一表征过程及至少所述额外表征过程确定经由所述至少一个离散背侧膜沉积过程沉积于所述半导体晶片上的至少一个离散背侧膜的膜力或一或多个平面内位移中的至少一者；及经由前馈回路或反馈回路中的至少一者将所述膜力或所述一或多个平面内位移中的至少一者提供到至少一个过程工具以改进一或多个制作过程的性能。

主权项：1.一种半导体装置制作系统，其包括：控制器，其中所述控制器包含一或多个处理器及经配置以存储一或多个程序指令集的存储器，其中所述一或多个处理器经配置以执行所述一或多个程序指令集，其中所述一或多个程序指令集经配置以引起所述一或多个处理器：在第一光刻过程之前经由一或多个表征子系统中的至少一个干涉仪工具对半导体晶片执行第一晶片几何表征过程；在所述第一光刻过程之后且在至少一个离散背侧膜沉积过程之前经由所述一或多个表征子系统中的至少一个反射模式表征工具对所述半导体晶片执行至少一个表征过程，其中所述至少一个表征过程包括膜性质表征过程或强度谱表征过程；在所述至少一个离散背侧膜沉积过程之后且在第二光刻过程之前经由所述一或多个表征子系统中的至少一个反射模式表征工具对所述半导体晶片执行至少额外表征过程，其中所述至少所述额外表征过程包括膜性质表征过程或强度谱表征过程；在所述第二光刻过程之前经由所述一或多个表征子系统中的至少一个干涉仪工具对所述半导体晶片执行第二晶片几何表征过程；基于至少所述第一晶片几何表征过程、所述至少一个表征过程、所述至少所述额外表征过程、及所述第二晶片几何表征过程确定经由所述至少一个离散背侧膜沉积过程沉积于所述半导体晶片上的至少一个离散背侧膜的膜力或一或多个平面内位移中的至少一者；及经由前馈回路或反馈回路中的至少一者将所述膜力或所述一或多个平面内位移中的至少一者提供到至少一个过程工具以改进一或多个制作过程的性能。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 科磊股份有限公司 半导体生产期间的过程诱导位移表征

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