申请/专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司

申请日：2021-10-21

公开（公告）日：2022-01-21

公开（公告）号：CN113957404A

主分类号：C23C14/35(20060101)

分类号：C23C14/35(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/32(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.21#公开

摘要：本发明提供了一种硅靶材焊接面的镀镍方法，对于硅靶材焊接面依次进行真空离子镀轰击处理、第一真空溅射镀膜处理、真空离子镀钛处理以及第二真空溅射镀膜处理，可以在硅靶材焊接面上得到由镍膜‑钛膜‑镍膜组成的复合镍膜层，其中由真空离子镀钛处理形成的钛膜可以有效增大复合镍膜层的面积，可以进一步提高铟等焊料对硅靶材焊接面的浸润性，进一步提高硅靶材与背板之间的焊接结合率，满足靶材磁控溅射的质量要求。

主权项：1.一种硅靶材焊接面的镀镍方法，其特征在于，所述镀镍方法包括如下步骤：1将硅靶材焊接面采用钛靶进行真空离子镀轰击处理；2将步骤1处理后的硅靶材焊接面采用镍靶进行第一真空溅射镀膜处理；3将步骤2处理后的硅靶材焊接面采用钛靶进行真空离子镀钛处理；4将步骤3处理后的硅靶材焊接面采用镍靶进行第二真空溅射镀膜处理，得到带有镍膜的硅靶材。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种硅靶材焊接面的镀镍方法

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