申请/专利权人：湖北工业大学

申请日：2021-11-24

公开（公告）日：2022-03-11

公开（公告）号：CN114171637A

主分类号：H01L31/18(20060101)

分类号：H01L31/18(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/0352(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/18(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.03.29#实质审查的生效;2022.03.11#公开

摘要：本发明提供一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法，包括以下步骤：首先，将Mo基底置于真空条件下，射频溅射ZnS，形成第一溅射层；其次，在真空条件下，直流溅射Cu，在第一溅射层表面形成第二溅射层；再次，在第二溅射层的表面旋涂CZTS前驱体溶胶；最后，在S蒸气下进行退火处理。其中，修饰层的第一溅射层能够作为S蒸气阻挡层抑制Mo层的硫化，减少MoS2的厚度；修饰层的第二溅射层以Cu作为直流溅射的原料，更利于上层CZTS前驱体结晶，减少CZTS的晶界缺陷。此外，该修饰层能够在上层的CZTS薄膜及其下层的Mo电极之间构成的重p+型层，改善CZTS层与Mo背电极接触侧的载流子传输性能，进而提高太阳能电池器件的光电转换效率。

主权项：1.一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法，包括以下步骤：S1、将Mo基底置于真空条件下，射频溅射ZnS，形成第一溅射层；S2、将具有第一溅射层的Mo基底置于真空条件下，直流溅射Cu，在第一溅射层表面形成第二溅射层；S3、在第二溅射层的表面旋涂CZTS前驱体溶胶；S4、将步骤S3处理后的样品在S蒸气的气氛环境下进行退火处理，得到具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北工业大学 一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法

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