申请/专利权人：常州鼎先电子有限公司

申请日：2022-01-24

公开（公告）日：2022-05-03

公开（公告）号：CN114429951A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2022.10.21#发明专利申请公布后的撤回;2022.05.20#实质审查的生效;2022.05.03#公开

摘要：本发明公开了一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构；包括半导体基底，所述半导体基底的上部设有半导体外延；所述半导体外延中具有增强注入区，所述增强注入区设置在所述源漏注入区和所述体接触注入区的下端，所述半导体外延的一侧固定设有深扩散区，所述半导体外延和所述深扩散区内形成有活跃埋层和遮蔽埋层，所述活跃埋层设置在所述遮蔽埋层的下部，所述半导体外延上设有多晶硅栅极，所述多晶硅栅极上设有多层场板硅栅极，所述多层场板硅栅极的一侧贴合在所述漂移区上；本发明有效提升开启电流；提高了维持电压；增强了泄放能力，提高了最大泄放电流；具备良好的可制造性与兼容性。

主权项：1.一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构，包括半导体基底1，其特征在于：还包括半导体外延2，所述半导体外延2中掺杂形成有漂移区3，所述漂移区3的外侧固定设有源漏注入区4，所述半导体外延2的另一侧设有体接触注入区5，所述半导体外延2中具有源漏注入区4；所述半导体外延2中具有增强注入区6，所述半导体外延2的一侧固定设有深扩散区7，所述半导体外延2和所述深扩散区7内形成有活跃埋层10和遮蔽埋层11，所述半导体外延2之上设有多晶硅栅极8，所述多晶硅栅极8上设有多层场板硅栅极9。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 常州鼎先电子有限公司 一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构及其制备方法

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