申请/专利权人：江南大学

申请日：2022-04-15

公开（公告）日：2022-07-29

公开（公告）号：CN114823892A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;G01N27/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开

摘要：本发明公开了一种具有InAlN背势垒层的重金属离子检测传感器，属于半导体、化学传感技术领域。所述重金属离子检测传感器，包括：衬底材料上依次形成的成核层、缓冲层、InAlN背势垒层、沟道层、势垒层、钝化层以及源极、漏极和栅极；本发明引入InAlN背势垒结构抬高了缓冲层势垒，降低了器件的寄生效应、抑制缓冲层漏电流，从而提高了传感器检测的可靠性；采用半胱氨酸溶液修饰栅极，半胱氨酸的羧基和氨基与重金属离子结合成螯合物的能力较强，提高了提高传感器的灵敏度；且半胱氨酸材料无毒害、自组装修饰效果好，修饰时间较短，操作简便，有效地改善检测环境，降低了器件的生产成本。

主权项：1.一种AlGaNGaNHEMT重金属离子检测传感器，其特征在于，包括：衬底材料上依次形成的AlN成核层、GaN缓冲层、InAlN背势垒层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层以及源极、漏极和栅极；所述栅极表面采用半胱氨酸作为修饰物，修饰到所述栅极表面的金层，形成自组装分子膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江南大学 一种具有InAlN背势垒层的重金属离子检测传感器

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