申请/专利权人：长沙理工大学

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855279A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/20;H01L29/47;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其结构包括源、漏极，栅极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏极采用二维金属（Ag,Au）材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和背栅；顶栅和背栅与衬底沟道之间均包含一个氧化层。本发明采用二维GaN材料作为衬底，金属（Ag,Au）材料作为源、漏极，与衬底材料形成肖特基势垒接触；双栅结构可增强栅极对沟道的控制能力，有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷。当沟道长度为5.1nm时，器件的关态电流小于0.1μAμm，实现正常关断；器件的开态电流大于1100μAμm，满足国际半导体技术路线图（ITRS）对高性能器件的要求。

主权项：1.一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其特征在于：包括源、漏极，栅极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏极为二维金属（Ag,Au）材料，栅极采用双栅结构，分为顶栅和背栅两部分，顶栅和背栅与中间沟道散射区域之间均包含一个氧化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长沙理工大学 一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管

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