申请/专利权人：江南大学

申请日：2022-08-09

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN115360235B

主分类号：H01L29/47

分类号：H01L29/47;H01L29/872;H01L21/283;H01L21/329;C01B21/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.12.06#实质审查的生效;2022.11.18#公开

摘要：本发明公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，氮化镓肖特基势垒二极管，由衬底、缓冲层、n+GaN外延层、n‑GaN外延层、欧姆电极、肖特基电极和导电层组成；其中，所述衬底、所述缓冲层、所述n+GaN外延层和所述n‑GaN外延层自下而上依次接触；所述欧姆电极与所述n+GaN外延层的上表面构成欧姆接触；所述肖特基电极与所述n‑GaN外延层的上表面构成肖特基接触；所述欧姆电极和所述肖特基电极的上表面覆盖导电层。本发明采用等离子体氮化形成的氮化镍作为肖特基电极，具有更高的稳定性和更低的反向泄漏电流。

主权项：1.一种氮化镓肖特基势垒二极管的制备方法，其特征在于：包括，在衬底上生长缓冲层，其上生长n+GaN外延层和n-GaN外延层；对n-GaN外延层进行台面刻蚀，使部分区域露出n+GaN层；在露出的n+GaN外延层上依次进行钛层、铝层、钛层和金层的沉积，在氮气氛围中进行热退火处理，构成欧姆电极；在n-GaN外延层上先磁控溅射沉淀一层镍，然后用氮气等离子体氮化生成氮化镍，通入等离子体的功率为100W，等离子体压强为2mTorr，反应时间为90s，构成肖特基电极；欧姆电极与肖特基电极之间具有1μm的间距，在欧姆电极和肖特基电极上方沉积导电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江南大学 一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法

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