申请/专利权人：中国科学技术大学

申请日：2021-06-24

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN113436970B

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L21/329;H01L29/47

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2021.10.15#实质审查的生效;2021.09.24#公开

摘要：本公开提供一种双势垒肖特基二极管的制备方法，包括：在衬底上制备外延层；在所述外延层上生长金属氧化物薄膜作为高势垒肖特基；利用快速热退火，使所述金属氧化物薄膜形成金属氧化物纳米颗粒层；制备金属层覆于所述金属氧化物纳米颗粒层上得到低势垒肖特基；以及在所述衬底的背面制备欧姆接触，完成双势垒肖特基二极管的制备。上述方法制备的双势垒肖特基二极管能够有效缓解现有技术中肖特基二极管难以同时降低开启电压和降低反向漏电流等技术问题。

主权项：1.一种双势垒肖特基二极管的制备方法，包括：在衬底上制备外延层，所述衬底为氮化镓衬底；在所述外延层表面制备铂金属薄膜层，然后在所述铂金属薄膜层上生长金属氧化物薄膜作为高势垒肖特基，所述外延层为氮化镓外延层，所述金属氧化物为PtOx；利用快速热退火，使所述金属氧化物薄膜形成金属氧化物纳米颗粒层，以降低漏电；制备金属层覆于所述金属氧化物纳米颗粒层上得到低势垒肖特基；以及在所述衬底的背面制备欧姆接触，完成双势垒肖特基二极管的制备；其中，所述的双势垒肖特基二极管的制备方法，还包括：在所述外延层上生长金属薄膜作为低势垒肖特基；利用快速热退火，使所述金属薄膜形成金属纳米颗粒层；以及制备金属氧化物层覆于所述金属纳米颗粒层上得到高势垒肖特基。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学技术大学 双势垒肖特基二极管的制备方法

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