申请/专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

申请日：2023-11-14

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877977A

主分类号：H01L21/329

分类号：H01L21/329;H01L29/872;H01L29/24;H01L29/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、准备氧化镓漂移层衬底；S2、在所述氧化镓漂移层衬底的下表面外延生长重掺杂氧化镓薄膜；S3、在所述氧化镓漂移层衬底的上表面沉积金属阳极电极；S4、在所述重掺杂氧化镓薄膜下表面沉积金属阴极电极。本发明以漂移层为衬底，在其表面外延生长一层重掺杂氧化镓薄膜，改善漂移层的接触特性，从而显著降低器件比导通电阻。

主权项：1.一种氧化镓肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、准备氧化镓漂移层衬底；S2、在所述氧化镓漂移层衬底的下表面外延生长重掺杂氧化镓薄膜；S3、在所述氧化镓漂移层衬底的上表面沉积金属阳极电极；S4、在所述重掺杂氧化镓薄膜下表面沉积金属阴极电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法

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