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【实用新型】一种具有高温低漏电肖特基二极管_深圳辰达半导体有限公司_202322318848.6 

申请/专利权人:深圳辰达半导体有限公司

申请日:2023-08-29

公开(公告)日:2024-04-05

公开(公告)号:CN220731511U

主分类号:H01L23/367

分类号:H01L23/367;H01L23/48;H01L29/872

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.05#授权

摘要:本实用新型公开了一种具有高温低漏电肖特基二极管,包括塑封壳体,塑封壳体的左右两侧表面均设置有导热片,导热片的表面开设有若干组插接槽,导热片的表面设置有若干组第一散热片,第一散热片的侧面固定连接有插接块,插接块有插接槽插接固定,第一散热片的上下两侧表面均固定连接有若干组第二散热片,导热片的前后两侧表面均固定连接有三组第一固定板,导热片将导片本体产生的热量向外导出,并通过多组第一散热片和第二散热片对热量进行向外散发,在使该装置有效耐高温的同时,并及时将产生的高温向外排出,使二极管的温度保持恒定,避免产生温度较高,进一步提高了二极管的使用安全性。

主权项:1.一种具有高温低漏电肖特基二极管,包括塑封壳体1,其特征在于,所述塑封壳体1的左右两侧表面均设置有导热片2,所述导热片2的表面开设有若干组插接槽24,所述导热片2的表面设置有若干组第一散热片25,所述第一散热片25的侧面固定连接有插接块27,所述插接块27有所述插接槽24插接固定,所述第一散热片25的上下两侧表面均固定连接有若干组第二散热片26,所述导热片2的前后两侧表面均固定连接有三组第一固定板21。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳辰达半导体有限公司 一种具有高温低漏电肖特基二极管

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