申请/专利权人：东北大学秦皇岛分校

申请日：2022-04-27

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN114823945B

主分类号：H01L31/032

分类号：H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/108;H01L31/18;G02B5/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开

摘要：本发明的金属钛掺杂氧化钨肖特基结的探测器结构及制备方法，涉及光电探测器制作领域。具体将掺氟氧化锡FTO导电玻璃作为衬底；利用磁控溅射的方法在FTO导电玻璃衬底一侧表面沉积钛掺杂氧化钨层；放入马弗炉中进行高温热处理，氧化钨晶化使表面产生内陷结构；利用磁控溅射或真空蒸镀的方法在热处理后的附有钛掺杂氧化钨层的FTO导电玻璃表面沉积金属。内陷结构使最终器件金属表面具有等离子体激元效应，以增强器件对入射光的吸收、转换效率和实现响应光谱的拓宽，突破传统无机材料探测器禁带宽度的限制，进而获得高性能的宽光谱光电探测器。

主权项：1.金属钛掺杂氧化钨肖特基结的探测器结构，其特征在于，从下至上依次为FTO玻璃层、钛掺杂氧化钨层和金属膜层，所述的FTO玻璃层厚度为200nm，钛掺杂氧化钨层厚度为30~40nm，金属为金或铝，所述的金属膜层厚度为20~30nm，所述的钛掺杂氧化钨层中钛质量百分含量≤5%；所述金属钛掺杂氧化钨肖特基结的探测器结构用于光电探测，探测波长为：350nm~1100nm，有效接收面积：36-100mm2，响应时间：1-5μs，工作温度范围：-10-70℃，暗电流：1×10-8~5×10-11A，信号输出模式：电流，光吸收率：53-57%；所述钛掺杂氧化钨层表面呈现高低起伏的保形结构。

全文数据：

权利要求：

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