申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790541A

主分类号：H01L29/40

分类号：H01L29/40;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/34

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：一种肖特基势垒二极管SBD器件结构，包括半绝缘衬底，所述半绝缘衬底具有第一导电类型，所述半绝缘衬底包括第一表面、第二表面和侧壁，所述第一表面的高度高于所述第二表面的高度，所述侧壁连接所述第一表面和所述第二表面；位于所述半绝缘衬底上的欧姆阴极区，所述欧姆阴极区的一部分位于所述第二表面上，另一部分位于所述侧壁上；位于所述半绝缘衬底中的离子注入区，所述离子注入区的位置与所述欧姆阴极区的位置对应；以及位于所述半绝缘衬底上的肖特基阳极，所述肖特基阳极位于所述第一表面上，且与所述半绝缘衬底相切，其中，所述二极管还包括多个场板和多个绝缘介质层。通过调节场板的横向宽度以及侧壁离子注入的覆盖范围，改变SBD器件内部的峰值电场位置及峰值电场强度，显著减小阳极下方电场，从而有效提高器件击穿电压。

主权项：1.一种肖特基势垒二极管，其中，包括：半绝缘衬底，所述半绝缘衬底具有第一导电类型，所述半绝缘衬底包括第一表面、第二表面和侧壁，所述第一表面的高度高于所述第二表面的高度，所述侧壁连接所述第一表面和所述第二表面；位于所述半绝缘衬底上的欧姆阴极区，所述欧姆阴极区的一部分位于所述第二表面上，另一部分位于所述侧壁上；位于所述半绝缘衬底中的离子注入区，所述离子注入区的位置与所述欧姆阴极区的位置对应；以及位于所述半绝缘衬底上的肖特基阳极，所述肖特基阳极位于所述第一表面上，且与所述半绝缘衬底相切，其中，所述二极管还包括多个场板和多个绝缘介质层，所述多个场板分别具有第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型不同，所述多个场板和所述多个绝缘介质层均位于所述第一表面上，所述多个场板分别位于所述肖特基阳极两侧；以及所述多个绝缘介质层包括第一绝缘介质层、第二绝缘介质层、第三绝缘介质层和第四绝缘介质层，所述第一绝缘介质层位于一个所述场板与所述肖特基阳极之间，所述第二绝缘介质层位于另一个所述场板与所述肖特基阳极之间，所述第三绝缘介质层位于一个所述场板远离所述肖特基阳极一侧，所述第四绝缘介质层位于另一个所述场板远离所述肖特基阳极一侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 一种肖特基势垒二极管器件结构

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