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【发明公布】一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池_青岛元动芯能源科技有限公司_202210824588.7 

申请/专利权人:青岛元动芯能源科技有限公司

申请日:2022-07-13

公开(公告)日:2022-09-13

公开(公告)号:CN115050503A

主分类号:G21H1/06

分类号:G21H1/06

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.09.30#实质审查的生效;2022.09.13#公开

摘要:本发明提供一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池,涉及同位素电池技术领域,两个单元模块的半导体对置,通过阴极金属电极进行连接和支撑,半导体本征层及P+层为条状,在侧面间隙处镀有氚基放射源。本发明中氚基放射源的产生额β粒子入射到半导体内后绝大部分将落入耗尽层中,产生的电子空穴对可大概率被收集,可避免传统方案中氚基放射源由于穿透深度低而落在P+层导致收集效率低的问题,此外,氚基放射源双面发射的电子均可被半导体捕获,可以实现基于氚源的高效辐射伏特效应同位素电池。

主权项:1.一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池,其特征在于:包括半导体单元模块,所述半导体单元模块由半导体本征层1、重掺杂的半导体P+层2和重掺杂的半导体薄膜N+层3构成,所述半导体单元模块的顶部和底部分别设有阳极金属电极7、阴极金属电极6,两个所述半导体单元模块共用一个阴极金属电极6,并以阴极金属电极6为中心相对设置;所述半导体P+层2加载在半导体本征层1的顶部,所述半导体薄膜N+层3位于半导体本征层1的底部;所述阳极金属电极7镀在半导体P+层2的顶部,所述半导体本征层1的侧面镀有氚基放射源5,所述半导体本征层1与氚基放射源5之间设有钝化层4。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 青岛元动芯能源科技有限公司 一种基于氚源的条状PIN结型β辐射伏特效应同位素电池

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