申请/专利权人:美光科技公司
申请日:2020-09-21
公开(公告)日:2022-12-23
公开(公告)号:CN115516433A
主分类号:G06F12/02
分类号:G06F12/02
优先权:["20200315 CN PCT/CN2020/079414"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.01.10#实质审查的生效;2022.12.23#公开
摘要:本发明提供用于改进存储器装置的存储器存取操作的装置及技术。在实例中,一种方法可包含响应于确定存储器存取命令的LBA不在包含映射高速缓存的LBA到物理地址L2P区内而将L2P表的多个L2P区从存储器装置的存储器阵列加载到映射高速缓存。当所述存储器存取命令是连续命令时,加载到所述映射高速缓存的所述多个L2P区可提供经改进存储器存取性能。
主权项:1.一种由存储器装置执行的方法,所述方法包括:从主机接收第一存储器存取命令,所述第一存储器存取命令用于存取所述存储器装置的存储器阵列;确定映射高速缓存的LBA到物理地址L2P区是否包含与所述第一存储器存取命令一起接收的第一LBA;响应于确定所述第一存储器存取命令的所述LBA不在所述映射高速缓存的所述L2P区内,将L2P表的多个L2P区加载到所述映射高速缓存;基于所述映射高速缓存内的所述第一LBA及所述多个L2P区中的第一L2P区确定所述存储器阵列的第一物理地址;及基于所述第一物理地址执行所述第一存储器存取命令。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 美光科技公司 用于改进存储器装置中的连续存储器存取的预载技术
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。