申请/专利权人：江苏华兴激光科技有限公司

申请日：2022-12-07

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579410A

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/107

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明公开了一种红外拓展波长光探测器芯片外延片，涉及半导体光电子器件技术领域，公开了包括衬底为InP衬底层，InP衬底层上方设置有InP缓冲层，InP缓冲层上方设置有InAlAs缓冲层，InAlAs缓冲层上方设置有InAlAs倍增层，InAlAs倍增层上方设置有InAlAs电荷层，InAlAs电荷层上方设置有应变InGaAs吸收层，应变InGaAs吸收层上方设置有InP盖层，本发明在传统的InGaAs红外雪崩探测器基础上将无应变InGaAs吸收层设计成应变InGaAs吸收层，使传统InGaAs红外雪崩探测器的波长响应范围往长波段拓展，且具有内部增益，从而提高气体探测的灵敏度。

主权项：1.一种红外拓展波长光探测器芯片外延片，其特征在于，包括衬底为InP衬底层（10）；所述InP衬底层（10）上方设置有InP缓冲层（20）；所述InP缓冲层（20）上方设置有InAlAs缓冲层（30）；所述InAlAs缓冲层（30）上方设置有InAlAs倍增层（40）；所述InAlAs倍增层（40）上方设置有InAlAs电荷层（50）；所述InAlAs电荷层（50）上方设置有应变InGaAs吸收层（60）；所述应变InGaAs吸收层（60）上方设置有InP盖层（70）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏华兴激光科技有限公司 一种红外拓展波长光探测器芯片外延片

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