申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司

申请日：2021-07-16

公开（公告）日：2023-01-17

公开（公告）号：CN115621318A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L27/02;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.10#实质审查的生效;2023.01.17#公开

摘要：本发明提供一种GGNMOS晶体管结构、ESD保护器件及ESD保护电路，所述GGNMOS晶体管结构在N阱、P型重掺杂区、N型重掺杂区形成的P‑N‑P‑N寄生晶闸管的作用下提高ESD保护器件单位尺寸泄放ESD电流的能力；所述GGNMOS晶体管结构在N阱构成的等效电阻的作用下，可限制ESD的瞬间峰值电流，使ESD保护器件的各GGNMOS晶体管均匀地导通，提升ESD保护电路的可靠性。

主权项：1.一种GGNMOS晶体管结构，其特征在于，所述GGNMOS晶体管结构至少包括：P型衬底；第一N阱、P阱及第二N阱，相邻且依次横向排布于所述P型衬底上；第一P型重掺杂区，设置于所述第一N阱上方；第一N型重掺杂区，设置于所述第一N阱上方，所述第一N型重掺杂区与所述第一P型重掺杂区之间设置有绝缘结构；第二P型重掺杂区，设置于所述P阱上方，所述第二P型重掺杂区与所述第一N型重掺杂区之间设置有绝缘结构；第二N型重掺杂区，设置于所述P阱上方，所述第二N型重掺杂区与所述第二P型重掺杂区之间设置有绝缘结构；第三N型重掺杂区，设置于所述P阱与所述第二N阱的交界的上方；第四N型重掺杂区，设置于所述第二N阱上方，所述第四N型重掺杂区与所述第三N型重掺杂区之间设置有绝缘结构；栅极结构，设置于所述第三N型重掺杂区与所述第二N型重掺杂区之间的所述P阱的上表面；其中，所述第一P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区及所述第四N型重掺杂区均接正极，所述第二P型重掺杂区、所述第二N型重掺杂区及所述栅极结构均接负极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡华润上华科技有限公司 GGNMOS晶体管结构、ESD保护器件及电路

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