申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司

申请日：2019-12-09

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN113035677B

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权;2021.07.13#实质审查的生效;2021.06.25#公开

摘要：本申请实施例公开了一种等离子体处理设备，包括：相对设置的第一电极结构和第二电极结构，与第一电极结构电连接的信号处理器以及与信号处理器电连接的信号发生器，信号发生器用于产生第一信号，信号处理器用于对第一信号进行处理后馈入到第一电极结构和第二电极结构之间，以产生等离子体，其中，信号处理器包括第一信号处理器，用于将第一信号转换成第二信号，第二信号对应的函数为第一函数的n次方异号的函数，第一函数为周期性正弦函数或周期性余弦函数，n为大于零的偶数，从而使得馈入到第一电极结构和第二电极结构之间的第二信号的函数值始终为负值，以此在待处理衬底表面形成一个较高的自偏压，实现提高等离子体处理设备中的自偏压的目的。

主权项：1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：等离子体处理腔室；位于所述等离子体处理腔室内，相对设置的第一电极结构和第二电极结构，所述第一电极结构用于放置待处理衬底；与所述第一电极结构电连接的信号处理器以及与所述信号处理器电连接的信号发生器，所述信号发生器用于产生第一信号，所述信号处理器用于对所述第一信号进行处理后，馈入到所述第一电极结构和所述第二电极结构之间，以产生等离子体；其中，所述信号处理器包括第一信号处理器，用于将所述第一信号转换成第二信号，其中，所述第二信号对应的函数为与第一函数的n次方异号的函数，所述第一函数为周期性正弦函数或周期性余弦函数，其中，n为大于零的偶数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理设备以及等离子体处理方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD