申请/专利权人:索尼半导体解决方案公司
申请日:2021-07-02
公开(公告)日:2023-03-14
公开(公告)号:CN115803887A
主分类号:H01L27/146
分类号:H01L27/146
优先权:["20200717 JP 2020-122780"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.06.13#实质审查的生效;2023.03.14#公开
摘要:本技术涉及光接收元件、用于制造该光接收元件的方法、以及电子装置,利用其可以获得对于红外光的高量子效率和增加的灵敏度。光接收元件具有形成在第一半导体基板中的像素阵列区域,并且其中,各自具有光电转换区域的像素以矩阵排列,每个像素的光电转换区域由SiGe区域或Ge区域形成。例如,本技术可应用于用于测量到物体的距离的测距模块。
主权项:1.一种光接收元件,包括:像素阵列区域,在所述像素阵列区域中,包括光电转换区域的像素以矩阵形状排列,其中,第一半导体基板的每个像素的所述光电转换区域由SiGe区域或Ge区域形成,其中,所述像素阵列区域形成在所述第一半导体基板上。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 索尼半导体解决方案公司 光接收元件、光接收元件的制造方法和电子装置
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