申请/专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司

申请日：2022-11-22

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115807260A

主分类号：C30B15/10

分类号：C30B15/10;C30B29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明公开了一种坩埚、晶体生长设备及坩埚的制备方法，坩埚包括：坩埚本体和第一过滤件。坩埚本体内限定出相互隔开的化料缓冲区和晶体生长区，化料缓冲区和晶体生长区之间设有隔断部，隔断部形成有用于连通化料缓冲区和晶体生长区的第一连通孔，第一过滤件设于第一连通孔，化料缓冲区内的熔汤适于通过第一过滤件过滤后进入晶体生长区。根据本发明实施例的坩埚，通过在隔断部的第一连通孔设置第一过滤件，可以过滤化料缓冲区内熔汤中的杂质和未完全熔化的硅颗粒，降低晶体生长区内的熔汤中的杂质含量以及未充分熔化的原料颗粒，减少生长出的晶体存在的缺陷，从而使晶体生长过程更稳定，提高了晶体的成晶率和生长质量。

主权项：1.一种坩埚，用于晶体生长设备，其特征在于，包括：坩埚本体，所述坩埚本体内限定出相互隔开的化料缓冲区和晶体生长区，所述化料缓冲区和所述晶体生长区之间设有隔断部，所述隔断部形成有用于连通所述化料缓冲区和所述晶体生长区的第一连通孔；第一过滤件，所述第一过滤件设于所述第一连通孔，所述化料缓冲区内的熔汤适于通过所述第一过滤件过滤后进入所述晶体生长区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 坩埚、晶体生长设备及坩埚的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD