申请/专利权人：青岛佳恩半导体有限公司

申请日：2022-12-16

公开（公告）日：2023-05-12

公开（公告）号：CN116110960A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L21/331;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.30#实质审查的生效;2023.05.12#公开

摘要：本发明提供了一种内置FRD芯片结构的IGBT芯片和制备方法，属于半导体器件技术领域，该一种内置FRD芯片结构的IGBT芯片包括由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极层、N‑缓冲层、N‑漂移层、P型基区、氧化层、沉积介质层、钝化层和背面金属电极；所述N‑漂移层和所述P型基区内具有相互平行的绝缘膜和栅电极区，所述P型基区位于每个所述绝缘膜的一侧分别设有N+发射区和P+区域，所述氧化层与所述P型基区、所述绝缘膜、所述栅电极区和所述P+区域接触，所述沉积介质层与所述N+发射区、所述P+区域和所述氧化层接触。通过隔离膜的作用，不仅能够实现导通，而且能够在加反向电压升温时，不易于传递热量，从而能够持续保持较低的热量。

主权项：1.一种内置FRD芯片结构的IGBT芯片，其特征在于，包括由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极层、N-缓冲层、N-漂移层、P型基区、氧化层、沉积介质层、钝化层和背面金属电极；所述N-漂移层和所述P型基区内具有相互平行的绝缘膜和栅电极区，所述P型基区位于每个所述绝缘膜的一侧分别设有N+发射区和P+区域，所述氧化层与所述P型基区、所述绝缘膜、所述栅电极区和所述P+区域接触，所述沉积介质层与所述N+发射区、所述P+区域和所述氧化层接触，于所述氧化层、所述沉积介质层和所述钝化层中设有FRD阴极，并于所述FRD阴极的周围设有隔离膜，且，所述隔离膜与所述P型基区、所述氧化层和所述沉积介质层接触。

全文数据：

权利要求：

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