申请/专利权人：三一硅能(株洲)有限公司

申请日：2023-03-06

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116145232A

主分类号：C30B15/00

分类号：C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本发明提供了一种单晶炉及其控制方法，其中，单晶炉包括：炉体；冷屏，可移动地设置在炉体内；导流筒，可移动地设置在炉体内，并且导流筒相对于冷屏可独立移动；第一驱动机构和第二驱动机构，分别与冷屏和导流筒连接。加料阶段中，冷屏向上移动，导流筒在保证加料距离的情况下尽可能靠近液面，从而减少热量损失，提高化料效率，降低硅液含氧量。拉晶阶段中，冷屏相对于导流筒向下移动，从而保证晶体生长所需要的温度梯度，提高溶体的稳定性。停炉时，冷屏向上移动，导流筒向下移动，从而快速降低炉体内温度，缩短停炉工时。

主权项：1.一种单晶炉，其特征在于，包括：炉体；冷屏10，可移动地设置在所述炉体内；导流筒20，可移动地设置在所述炉体内，并且所述导流筒20相对于冷屏10可独立移动；第一驱动机构30和第二驱动机构40，分别与所述冷屏10和所述导流筒20连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三一硅能(株洲)有限公司 单晶炉及其控制方法

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