申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-10-08

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116153348A

主分类号：G11C5/02

分类号：G11C5/02;G11C5/06

优先权：["20211122 KR 10-2021-0161493"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.23#公开

摘要：一种存储器件包括第一下半导体层和第二下半导体层。第一下半导体层设置在包括第一存储单元阵列的第一上半导体层的下方。第一下半导体层包括与第一存储单元阵列电连接的第一页缓冲器。第二下半导体层设置在第二上半导体层的下方，该第二上半导体层包括第二存储单元阵列并在第一方向上与第一上半导体层相邻设置。第二下半导体层包括第二页缓冲器的第一部分，第二页缓冲器电连接到第二存储单元阵列并在第一方向上与第一下半导体层相邻设置。第一下半导体层还包括第二页缓冲器的第二部分，该第二部分与第一部分不同。

主权项：1.一种存储器件，包括：第一下半导体层，设置在包括第一存储单元阵列的第一上半导体层的下方，所述第一下半导体层包括与所述第一存储单元阵列电连接的第一页缓冲器；以及第二下半导体层，设置在第二上半导体层的下方，所述第二上半导体层包括第二存储单元阵列并在第一方向上与所述第一上半导体层相邻设置，所述第二下半导体层包括第二页缓冲器的第一部分，所述第二页缓冲器电连接到所述第二存储单元阵列并在所述第一方向上与所述第一下半导体层相邻设置，其中，所述第一下半导体层还包括所述第二页缓冲器的第二部分，所述第二部分与所述第一部分不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 具有竖直结构的存储器件和包括存储器件的存储系统

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