申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2018-11-27

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN110718245B

主分类号：G11C7/10

分类号：G11C7/10

优先权：["20180713 KR 10-2018-0081932"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.23#授权;2020.02.21#实质审查的生效;2020.01.21#公开

摘要：半导体器件包括合成信号生成电路、列控制电路和控制信号生成电路。合成信号生成电路响应于在读取操作期间顺序生成的第一读取脉冲和第二读取脉冲来生成寄存器合成信号。列控制电路响应于第一读取脉冲和第二读取脉冲而生成用于分别选择核心电路的第一存储体组和第二存储体组的第一存储体选择信号和第二存储体选择信号中的任何一个。控制信号生成电路响应于寄存器合成信号来生成用于控制模式寄存器的输出操作的控制信号。

主权项：1.一种半导体器件，包括：合成信号生成电路，该合成信号生成电路被配置为响应于在读取操作期间顺序生成的第一读取脉冲和第二读取脉冲而生成寄存器合成信号；列控制电路，该列控制电路被配置为响应于所述第一读取脉冲和所述第二读取脉冲而生成用于分别选择核心电路的第一存储体组和第二存储体组的第一存储体选择信号和第二存储体选择信号中的任何一个；以及控制信号生成电路，该控制信号生成电路被配置为响应于所述寄存器合成信号来生成用于控制模式寄存器的输出操作的控制信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体器件

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